文章摘要
张立军,吴晨,王子欧,毛凌锋.采用钳位二极管的新型低功耗SRAM的设计[J].高技术通讯(中文),2014,24(2):171~176
采用钳位二极管的新型低功耗SRAM的设计
  
DOI:
中文关键词: 静态随机存储器(SRAM),低功耗,钳位二极管,漏电流
英文关键词: 
基金项目:
作者单位
张立军 苏州大学城市轨道交通学院 
吴晨 苏州秉亮科技有限公司 
王子欧 苏州大学城市轨道交通学院 
毛凌锋 苏州大学城市轨道交通学院 
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中文摘要:
      给出了一种设计低功耗静态随机存储器(SRAM)的技术,实现了在电路级与架构级层次上同时降低漏电流与动态功耗。该技术采用源极偏压结构控制漏电流,将一个钳位二极管与NMOS管并联插入GND与SRAM单元的源极之间,当NMOS打开时SRAM进行正常的读写操作,而NMOS关闭则会将源极电压抬高至钳位电压,降低漏电流的同时保证了数据的稳定性;对SRAM结构进行独特的布局,引入Z译码电路,极大地减少每次操作时激活的存储单元数量,明显降低动态功耗;将power gating技术与高阈值(high Vth)器件相结合的低功耗设计应用于外围电路,进一步降低漏电流。基于UMC 55nm SP CMOS工艺制造了包含多个SRAM实例(instance)的测试芯片,测试结果证明了该技术的有效性与可靠性。
英文摘要:
      
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