文章摘要
杜智超,张旭,刘鸣,陈弘达.低功耗高集成度CMOS神经信号放大器[J].高技术通讯(中文),2014,24(1):104~110
低功耗高集成度CMOS神经信号放大器
  
DOI:
中文关键词: 神经信号放大器,T型电容反馈网络,高集成度,输入阻抗,低功耗
英文关键词: 
基金项目:
作者单位
杜智超 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室 
张旭 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室 
刘鸣 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室 
陈弘达 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室 
摘要点击次数: 3106
全文下载次数: 2515
中文摘要:
      针对传统电容耦合-电容反馈型神经信号放大电路芯片面积过大、输入电阻低的缺陷,设计并实现了一款16通道带通胞外神经信号放大器。它通过采用新型的交流耦合T型电容网络反馈式拓扑结构,在保证低噪声和高输入阻抗的前提下减少了芯片的面积。芯片每个通道的中频增益为40.6dB,直流增益为0 dB。其-3dB高频截止频率为5kHz,而其低频截止频率可以通过调节晶体管的栅电压而进行优化。在供电电压为±1.65V的情况下,芯片在记录多通道局部场电位(LFPs)时,从1Hz到10kHz频率积分得到的输入参考噪声为4.99 μVrms,其每通道功耗为19.8μW。芯片总面积为2062.5μm×525.7 μm,平均每通道0.02 mm2,由0.35 μm CMOS N well 2P4M 工艺实现。相比于传统结构的CMOS神经信号放大器,该设计在集成度及功耗上占优势。
英文摘要:
      
查看全文   查看/发表评论  下载PDF阅读器
关闭

分享按钮