文章摘要
张广飞,王焕东,陈新科,黄帅,陈李维.多微通道内存系统设计方法[J].高技术通讯(中文),2013,23(7):685~693
多微通道内存系统设计方法
  
DOI:
中文关键词: DRAM系统, 内存控制器, 片上多核, 多通道, 访存特性
英文关键词: 
基金项目:
作者单位
张广飞 中国科学院计算机系统结构重点实验室
中国科学院计算技术研究所
中国科学院研究生院 
王焕东 中国科学院计算机系统结构重点实验室 
陈新科 中国科学院计算机系统结构重点实验室
中国科学院计算技术研究所
中国科学院研究生院 
黄帅 中国科学院计算机系统结构重点实验室 
陈李维 中国科学院计算机系统结构重点实验室
中国科学院计算技术研究所
中国科学院研究生院 
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中文摘要:
      通过建立内存系统排队模型,分析了影响内存系统性能的原因——内存控制器的内存命令处理速度受访存请求页命中率、Bank级并行度和读写命令切换率的影响,进而提出了一种多微通道内存系统设计方法。用此方法多微通道内存控制器通过对内存颗粒进行细粒度控制,可以提高访存请求页命中率和Bank级并行度,隐藏数据总线读写切换延迟。该结构在提高内存系统带宽利用率的同时,缩短访存请求延迟,并提高内存功耗有效性。将多微通道内存控制器设计应用于多核处理器平台,充分分析各种宽度访存通道对应用程序性能的影响。实验结果表明,相比传统内存控制器设计方法,多微通道内存控制器将内存系统带宽提高了21.8%,访存延迟和功耗分别降低14.4%和26.2%。
英文摘要:
      
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