张广飞,王焕东,陈新科,黄帅,陈李维.多微通道内存系统设计方法[J].高技术通讯(中文),2013,23(7):685~693 |
多微通道内存系统设计方法 |
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DOI: |
中文关键词: DRAM系统, 内存控制器, 片上多核, 多通道, 访存特性 |
英文关键词: |
基金项目: |
作者 | 单位 | 张广飞 | 中国科学院计算机系统结构重点实验室 中国科学院计算技术研究所 中国科学院研究生院 | 王焕东 | 中国科学院计算机系统结构重点实验室 | 陈新科 | 中国科学院计算机系统结构重点实验室 中国科学院计算技术研究所 中国科学院研究生院 | 黄帅 | 中国科学院计算机系统结构重点实验室 | 陈李维 | 中国科学院计算机系统结构重点实验室 中国科学院计算技术研究所 中国科学院研究生院 |
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中文摘要: |
通过建立内存系统排队模型,分析了影响内存系统性能的原因——内存控制器的内存命令处理速度受访存请求页命中率、Bank级并行度和读写命令切换率的影响,进而提出了一种多微通道内存系统设计方法。用此方法多微通道内存控制器通过对内存颗粒进行细粒度控制,可以提高访存请求页命中率和Bank级并行度,隐藏数据总线读写切换延迟。该结构在提高内存系统带宽利用率的同时,缩短访存请求延迟,并提高内存功耗有效性。将多微通道内存控制器设计应用于多核处理器平台,充分分析各种宽度访存通道对应用程序性能的影响。实验结果表明,相比传统内存控制器设计方法,多微通道内存控制器将内存系统带宽提高了21.8%,访存延迟和功耗分别降低14.4%和26.2%。 |
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