| 张瑛,王志功,徐建.基于2μm GaAs HBT工艺的L型分布式放大器设计[J].高技术通讯(中文),2012,22(10):1064~1069 |
| 基于2μm GaAs HBT工艺的L型分布式放大器设计 |
| Design of a L type distributed amplifier based on 2 μm GaAs HBT process |
| 修订日期：2010-12-31 |
| DOI：10.3772/j.issn.1002-0470.2012.10.010 |
| 中文关键词: 分布式放大器， 人工传输线， 异质结晶体管， 超宽带(UWB)， 砷化镓(GaAs) |
| 英文关键词: distributed amplifier, artificial transmission line, hetero junction transistor, ultra wide band (UWB), GaAs |
| 基金项目:国家自然科学基金(61106021)，江苏省高校自然科学研究项目（11KJB510019），中国博士后基金(20090461049，20090461048)，江苏省博士后资助计划(0901022C)和科技部中小企业技术创新基金（11C26213211234）资助项目。 |
| 作者 | 单位 | | 张瑛 | 东南大学射频与光电集成电路研究所；南京邮电大学电子科学与工程学院 | | 王志功 | 东南大学射频与光电集成电路研究所 | | 徐建 | 东南大学射频与光电集成电路研究所 |
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| 中文摘要: |
| 为满足电子系统对放大器的带宽性能要求，基于2μm砷化镓（GaAs）异质结双极晶体管（HBT）工艺设计了一种新的分布式放大器。设计采用了输入电容耦合技术和L型传输线结构，有效提升了放大器的频率性能。测试结果显示，该放大器的3dB带宽达到14GHz，在1.2GHz～10.5GHz频率范围内增益为6.6dB，带内增益平坦度为±0.5dB，输入回波损耗小于-14dB，输出回波损耗小于-8.8dB，表现出了高增益和大带宽的特性。 |
| 英文摘要: |
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