文章摘要
张瑛,王志功,徐建.基于2μm GaAs HBT工艺的L型分布式放大器设计[J].高技术通讯(中文),2012,22(10):1064~1069
基于2μm GaAs HBT工艺的L型分布式放大器设计
Design of a L type distributed amplifier based on 2 μm GaAs HBT process
  修订日期:2010-12-31
DOI:10.3772/j.issn.1002-0470.2012.10.010
中文关键词: 分布式放大器, 人工传输线, 异质结晶体管, 超宽带(UWB), 砷化镓(GaAs)
英文关键词: distributed amplifier, artificial transmission line, hetero junction transistor, ultra wide band (UWB), GaAs
基金项目:国家自然科学基金(61106021),江苏省高校自然科学研究项目(11KJB510019),中国博士后基金(20090461049,20090461048),江苏省博士后资助计划(0901022C)和科技部中小企业技术创新基金(11C26213211234)资助项目。
作者单位
张瑛 东南大学射频与光电集成电路研究所;南京邮电大学电子科学与工程学院 
王志功 东南大学射频与光电集成电路研究所 
徐建 东南大学射频与光电集成电路研究所 
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中文摘要:
      为满足电子系统对放大器的带宽性能要求,基于2μm砷化镓(GaAs)异质结双极晶体管(HBT)工艺设计了一种新的分布式放大器。设计采用了输入电容耦合技术和L型传输线结构,有效提升了放大器的频率性能。测试结果显示,该放大器的3dB带宽达到14GHz,在1.2GHz~10.5GHz频率范围内增益为6.6dB,带内增益平坦度为±0.5dB,输入回波损耗小于-14dB,输出回波损耗小于-8.8dB,表现出了高增益和大带宽的特性。
英文摘要:
      
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