| 俞慧强,修向前,张荣,华雪梅,谢自力,刘斌,陈鹏,韩平,施毅,郑有炓.用氢化物气相外延（HVPE）法生长的氮化铟薄膜的性质研究[J].高技术通讯(中文),2014,24(9):971~974 |
| 用氢化物气相外延（HVPE）法生长的氮化铟薄膜的性质研究 |
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| DOI： |
| 中文关键词: 氮化铟(InN)， 薄膜， 氢化物气相外延(HVPE) |
| 英文关键词: |
| 基金项目: |
| 作者 | 单位 | | 俞慧强 | 南京大学现代分析中心 | | 修向前 | 江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京大学电子科学与工程学院 | | 张荣 | 江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京大学电子科学与工程学院 | | 华雪梅 | 江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京大学电子科学与工程学院 | | 谢自力 | 江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京大学电子科学与工程学院 | | 刘斌 | 江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京大学电子科学与工程学院 | | 陈鹏 | 江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京大学电子科学与工程学院 | | 韩平 | 江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京大学电子科学与工程学院 | | 施毅 | 江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京大学电子科学与工程学院 | | 郑有炓 | 江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京大学电子科学与工程学院 |
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| 中文摘要: |
| 在自制设备上用氢化物气相外延（HVPE）方法在α Al2O3以及GaN/α Al2O3衬底上生长了InN薄膜，并对其性质进行了研究。重点研究了生长温度的变化对所获得的InN薄膜的影响，并利用X射线衍射研究了InN薄膜的结构，用扫描电子显微镜研究了其表面性质，用霍尔测量研究了其电学性质。X射线衍射的结果表明，直接在α Al2O3上生长得到的是InN多晶薄膜；而在GaN/α Al2O3上得到的InN薄膜都只有(0002)取向，并且没有金属In或是In相关的团簇存在。综合分析可以发现，在650℃时无法得到InN薄膜，而在温度550℃时生长的InN薄膜具有光滑的表面和最好的晶体质量。 |
| 英文摘要: |
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